サムコ株式会社の評価
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企業について
半導体や電子部品をつくる工程のうち、基板の上に薄い膜を付ける工程、その膜を微細に削る工程、表面を洗う工程に使う装置を設計・販売している京都の装置メーカー。1979年に辻理が半導体製造装置の製造及び販売を目的として株式会社サムコインターナショナル研究所を設立し、翌1980年に国産初のプラズマCVD装置、1981年に国産初の化合物半導体製造用MOCVD装置を製品化した。扱う用途は窒化ガリウム(GaN)や炭化シリコン(SiC)といった化合物半導体の加工が中心で、LEDや半導体レーザーなどの光デバイス、電力の制御に使うパワーデバイス、スマートフォンの通信を担う高周波デバイスなど、完成品の内側に入って表からは見えない部品がつくられる工程を支える位置にいる。装置は自社で設計し、製造は協力会社に委託したうえで、独自の制御ソフトを入れて仕様検査・出荷検査を経てから出荷する形をとる。京都・東京・愛知・茨城に国内拠点、米国・中国・韓国・シンガポール・マレーシアに海外拠点を置き、2025年7月期の売上高は93億4千万円、従業員は191人。
事業内容
半導体等電子部品製造装置の製造及び販売(単一セグメント)
薄膜形成分野:プラズマCVD装置、液体ソースCVD装置、ALD(原子層堆積)装置
微細加工分野:反応性イオンエッチング装置、ICPエッチング装置、ALE装置、高速Siディープエッチング装置、XeF2ドライエッチング装置
洗浄・表面処理分野:Aqua Plasmaクリーナー、プラズマクリーナー、UVオゾンクリーナー
装置向けの部品供給および保守メンテナンス
用途は化合物半導体、シリコン半導体、MEMS・コンデンサ・センサー・高周波フィルターなどの電子部品、マイクロ流体デバイスなどのヘルスケア関連
基本情報
- 設立
- 1979年9月
- 代表者
- 辻 理
- 資本金
- 16.6億円
- 売上高
- 93.4億円
- 従業員数
- 約191人
- 平均年収
- 667.5万円
- 平均年齢
- 41.1歳
- 平均勤続年数
- 13.1年
- 上場
- 東証プライム(証券コード 6387) 2001年上場
- 決算月
- 7月
- 所在地
- 京都府京都市伏見区竹田藁屋町36番地
- 公式サイト
- https://www.samco.co.jp/
- 採用情報
- 採用ページを見る
沿革
- 1979年9月
- 半導体製造装置の製造及び販売を目的として株式会社サムコインターナショナル研究所を設立
- 1980年7月
- 国産初のプラズマCVD装置の開発、販売を開始
- 1981年4月
- 国産初の化合物半導体製造用MOCVD装置の開発、販売を開始
- 1985年6月
- 京都市伏見区に本社を移転
- 1987年2月
- 米国カリフォルニア州にオプトフィルムス研究所を開設
- 1997年11月
- キリンビールと共同で、プラスチックボトルにDLC(ダイヤモンド・ライク・カーボン)膜を形成する技術を開発
- 2001年5月
- 日本証券業協会に株式を店頭上場
- 2003年12月
- 独ロバート・ボッシュ社よりシリコンの高速ディープエッチング技術を導入
- 2004年12月
- サムコ株式会社へ社名を変更し、ジャスダック証券取引所に株式を上場
- 2008年10月
- 台湾に保守サービスのための現地法人を設立
- 2013年10月
- SiCパワーデバイス向け本格量産用ドライエッチング装置の開発、販売を開始
- 2014年1月
- 東京証券取引所市場第一部銘柄に指定
- 2014年5月
- リヒテンシュタイン公国のUCP Processing Ltd.を子会社化(samco-ucp AGに社名変更)
- 2015年12月
- 電子デバイス向け原子層堆積装置AL-1の開発、販売を開始
- 2025年9月
- 京都市伏見区に先端技術開発棟が完成
公式SNS
公的な記録
届出・認定 1件
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物品の製造:B
物品の販売:A
役務の提供等:A
特許・意匠・商標 43件
- Aqua Plasma Boost
- 上部にテーパ形状を持つ、深堀構造を有するシリコン基板の製造方法
- 振動検出素子およびその製造方法
- 水プラズマによる透明樹脂の接合方法
- 金属窒化物膜製造方法
- シクロオレフィンポリマーと金属の接合方法、およびバイオセンサの製造方法
- SiCトレンチ型MOSFETのトレンチ作製方法
- 誘導結合型プラズマ処理装置の防着板
- 容量結合型プラズマ処理装置
- シクロオレフィンポリマーの接合方法
- マイクロ流路チップ製造方法
- 振動検出素子およびその製造方法
- Aquasteri
- プラズマ処理室用排気構造
- シクロオレフィンポリマーの接合方法
- 検出素子およびその製造方法
- プラズマ処理用基板トレイ
- プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
- ステージおよびプラズマ処理装置
- ウエハ処理装置
- ほか23件
この情報について
内容が最新でない場合や、文章作成の過程で不正確な場合がありますので、公式の資料でご確認ください。 企業のご担当者様は、会員登録のうえ内容を編集していただけます。
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出典:「Gビズインフォ」(経済産業省)
https://info.gbiz.go.jp/hojin/ichiran?hojinBango=4130001014511(2026年8月11日に利用)
同サイトの情報をもとに dive-for.com が作成しました。
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