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サムコ株式会社

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メーカー(機械・電気・電子)業界

京都府京都市伏見区竹田藁屋町36番地

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サムコ株式会社の評価

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  • 入社理由と
    入社後の
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  • 会社の将来性: 星マーク星マーク星マーク星マーク星マーク -

  • スキルアップ: 星マーク星マーク星マーク星マーク星マーク -

  • 多様性への配慮: 星マーク星マーク星マーク星マーク星マーク -

  • ワークライフ
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  • 退職理由: 星マーク星マーク星マーク星マーク星マーク -

  • 福利厚生・制度: 星マーク星マーク星マーク星マーク星マーク -

  • 経営者の提言: 星マーク星マーク星マーク星マーク星マーク -

  • 年収・給与: 星マーク星マーク星マーク星マーク星マーク -

  • 面接・選考: 星マーク星マーク星マーク星マーク星マーク -

  • やりがい: 星マーク星マーク星マーク星マーク星マーク -

企業について

半導体や電子部品をつくる工程のうち、基板の上に薄い膜を付ける工程、その膜を微細に削る工程、表面を洗う工程に使う装置を設計・販売している京都の装置メーカー。1979年に辻理が半導体製造装置の製造及び販売を目的として株式会社サムコインターナショナル研究所を設立し、翌1980年に国産初のプラズマCVD装置、1981年に国産初の化合物半導体製造用MOCVD装置を製品化した。扱う用途は窒化ガリウム(GaN)や炭化シリコン(SiC)といった化合物半導体の加工が中心で、LEDや半導体レーザーなどの光デバイス、電力の制御に使うパワーデバイス、スマートフォンの通信を担う高周波デバイスなど、完成品の内側に入って表からは見えない部品がつくられる工程を支える位置にいる。装置は自社で設計し、製造は協力会社に委託したうえで、独自の制御ソフトを入れて仕様検査・出荷検査を経てから出荷する形をとる。京都・東京・愛知・茨城に国内拠点、米国・中国・韓国・シンガポール・マレーシアに海外拠点を置き、2025年7月期の売上高は93億4千万円、従業員は191人。

事業内容

半導体等電子部品製造装置の製造及び販売(単一セグメント)
薄膜形成分野:プラズマCVD装置、液体ソースCVD装置、ALD(原子層堆積)装置
微細加工分野:反応性イオンエッチング装置、ICPエッチング装置、ALE装置、高速Siディープエッチング装置、XeF2ドライエッチング装置
洗浄・表面処理分野:Aqua Plasmaクリーナー、プラズマクリーナー、UVオゾンクリーナー
装置向けの部品供給および保守メンテナンス
用途は化合物半導体、シリコン半導体、MEMS・コンデンサ・センサー・高周波フィルターなどの電子部品、マイクロ流体デバイスなどのヘルスケア関連

基本情報

設立
1979年9月
代表者
辻 理
資本金
16.6億円
売上高
93.4億円
従業員数
約191人
平均年収
667.5万円
平均年齢
41.1歳
平均勤続年数
13.1年
上場
東証プライム(証券コード 6387) 2001年上場
決算月
7月
所在地
京都府京都市伏見区竹田藁屋町36番地
公式サイト
https://www.samco.co.jp/
採用情報
採用ページを見る

沿革

1979年9月
半導体製造装置の製造及び販売を目的として株式会社サムコインターナショナル研究所を設立
1980年7月
国産初のプラズマCVD装置の開発、販売を開始
1981年4月
国産初の化合物半導体製造用MOCVD装置の開発、販売を開始
1985年6月
京都市伏見区に本社を移転
1987年2月
米国カリフォルニア州にオプトフィルムス研究所を開設
1997年11月
キリンビールと共同で、プラスチックボトルにDLC(ダイヤモンド・ライク・カーボン)膜を形成する技術を開発
2001年5月
日本証券業協会に株式を店頭上場
2003年12月
独ロバート・ボッシュ社よりシリコンの高速ディープエッチング技術を導入
2004年12月
サムコ株式会社へ社名を変更し、ジャスダック証券取引所に株式を上場
2008年10月
台湾に保守サービスのための現地法人を設立
2013年10月
SiCパワーデバイス向け本格量産用ドライエッチング装置の開発、販売を開始
2014年1月
東京証券取引所市場第一部銘柄に指定
2014年5月
リヒテンシュタイン公国のUCP Processing Ltd.を子会社化(samco-ucp AGに社名変更)
2015年12月
電子デバイス向け原子層堆積装置AL-1の開発、販売を開始
2025年9月
京都市伏見区に先端技術開発棟が完成

公式SNS

公的な記録

届出・認定 1件
  • 物品の製造:B
    物品の販売:A
    役務の提供等:A
    デジタル庁
特許・意匠・商標 43件
  • Aqua Plasma Boost 2022年6月
  • 上部にテーパ形状を持つ、深堀構造を有するシリコン基板の製造方法 2020年3月
  • 振動検出素子およびその製造方法 2020年2月
  • 水プラズマによる透明樹脂の接合方法 2019年9月
  • 金属窒化物膜製造方法 2019年3月
  • シクロオレフィンポリマーと金属の接合方法、およびバイオセンサの製造方法 2018年12月
  • SiCトレンチ型MOSFETのトレンチ作製方法 2018年11月
  • 誘導結合型プラズマ処理装置の防着板 2018年10月
  • 容量結合型プラズマ処理装置 2018年7月
  • シクロオレフィンポリマーの接合方法 2018年7月
  • マイクロ流路チップ製造方法 2018年7月
  • 振動検出素子およびその製造方法 2018年6月
  • Aquasteri 2018年3月
  • プラズマ処理室用排気構造 2018年2月
  • シクロオレフィンポリマーの接合方法 2018年2月
  • 検出素子およびその製造方法 2018年2月
  • プラズマ処理用基板トレイ 2018年1月
  • プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 2017年11月
  • ステージおよびプラズマ処理装置 2017年11月
  • ウエハ処理装置 2017年4月
  • ほか23件

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