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株式会社SUMCO

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メーカー(素材・化学)業界

東京都港区芝浦1丁目2番1号

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株式会社SUMCOの評価

  • 職場環境: 星マーク星マーク星マーク星マーク星マーク -

  • 入社理由と
    入社後の
    ギャップ: 星マーク星マーク星マーク星マーク星マーク -

  • 会社の将来性: 星マーク星マーク星マーク星マーク星マーク -

  • スキルアップ: 星マーク星マーク星マーク星マーク星マーク -

  • 多様性への配慮: 星マーク星マーク星マーク星マーク星マーク -

  • ワークライフ
    バランス: 星マーク星マーク星マーク星マーク星マーク -

  • 退職理由: 星マーク星マーク星マーク星マーク星マーク -

  • 福利厚生・制度: 星マーク星マーク星マーク星マーク星マーク -

  • 経営者の提言: 星マーク星マーク星マーク星マーク星マーク -

  • 年収・給与: 星マーク星マーク星マーク星マーク星マーク -

  • 面接・選考: 星マーク星マーク星マーク星マーク星マーク -

  • やりがい: 星マーク星マーク星マーク星マーク星マーク -

企業について

半導体をつくるときの土台になるシリコンウェーハ(高純度のシリコンの塊を厚さ1mm以下に薄く切り、研磨・洗浄した円板)を製造・販売する専業メーカー。1999年に住友金属工業(現 日本製鉄)と三菱マテリアル、三菱マテリアルシリコンの共同出資で300mm口径ウェーハの開発・製造会社として設立され、2002年に両社のシリコンウェーハ事業を統合して現在の形になった。スマートフォン、パソコン、家電、自動車に入る半導体は、この円板の上に回路を作り込んで生まれる。製品が店頭に並ぶことはないが、電子機器の出発点にあたる材料を供給する位置にいる。事業は「高純度シリコン事業」の単一セグメントで、300mmウェーハを佐賀県伊万里市・杵島郡江北町、山形県米沢市、長崎県大村市、台湾で、200mm以下を含めると北海道千歳市、宮崎市、米国、インドネシアでも製造している。2025年12月期の連結売上高は4,096億円で、従業員は単体5,065人、連結では9,714人。

事業内容

半導体用シリコンウェーハの製造・販売(「高純度シリコン事業」の単一セグメント)
300mm口径のポリッシュトウェーハ、エピタキシャルウェーハの製造・販売
200mm以下の各口径シリコンウェーハの製造・販売
半導体用多結晶シリコンの製造(三重県四日市市、米国)
国内は東京・大阪・福岡に営業拠点、海外は米国・英国に販売、台湾・シンガポールに営業、台湾・韓国に技術サポートの子会社を置く

基本情報

代表者
橋本 眞幸
資本金
1,387億円
売上高
4,096.7億円
平均年収
641.2万円
平均年齢
42.7歳
平均勤続年数
14年
上場
東証プライム(証券コード 3436) 2005年上場
決算月
12月
所在地
東京都港区芝浦1丁目2番1号
電話番号
03-5444-0808
公式サイト
https://www.sumcosi.com/
採用情報
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お問い合わせ
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職場データ

企業規模(男女別)
男性 約4,403人 / 女性 約495人

出典:職場情報総合サイト(厚生労働省)。企業が公表した時点の数値で、 集計の範囲(正社員のみか、パートを含むか)は企業によって異なります。

沿革

1958年12月
新日本窒素肥料(現 チッソ)が半導体用高純度シリコンの製造・販売を目的に日窒電子化学を設立(三菱側の前身)
1962年1月
大阪チタニウム製造の尼崎工場でシリコンウェーハの生産を開始(住友側の前身)
1998年10月
住友金属工業と住友シチックスが合併し、住友金属工業シチックス事業本部が発足
1999年7月
住友金属工業(現 日本製鉄)、三菱マテリアル、三菱マテリアルシリコンの共同出資により、300mmウェーハの開発・製造会社として株式会社シリコン ユナイテッド マニュファクチュアリングを設立
2001年10月
300mmウェーハの生産を開始
2002年2月
住友金属工業よりシリコン事業(シチックス事業本部)を譲り受け、三菱マテリアルシリコンと合併。商号を三菱住友シリコンに変更
2005年8月
商号を株式会社SUMCOに変更
2005年11月
東京証券取引所市場第一部に上場
2006年10月
コマツ電子金属(現 SUMCO TECHXIV)を公開買付けにより子会社化
2011年2月
尼崎工場を閉鎖
2012年11月
ジャパンスーパークォーツ(現 JSQ事業部)を吸収合併
2013年7月
生野工場を閉鎖
2022年4月
東京証券取引所の市場区分見直しによりプライム市場へ移行
2023年3月
三菱マテリアルの半導体用多結晶シリコン事業を承継した高純度シリコンを子会社化

公式SNS

公的な記録

届出・認定 2件
  • DX認定制度 経済産業省・2023年11月
  • DX認定制度 経済産業省・2021年11月
特許・意匠・商標 298件
  • SUMCO 2023年5月
  • §SUMCO 2023年5月
  • 半導体ウェーハの両面研磨方法、研磨ウェーハの製造方法、及び半導体ウェーハの両面研磨装置 2022年8月
  • ウェーハ研磨条件の決定方法、ウェーハの製造方法およびウェーハ片面研磨システム 2022年7月
  • 半導体ウェーハの鏡面面取り加工時の研磨代の評価方法 2022年5月
  • 測定方法及び測定装置 2022年4月
  • シリコン単結晶の製造方法 2022年3月
  • 半導体ウェーハ用エピタキシャル成長装置の基準位置検出状態の判定方法、半導体ウェーハの載置位置測定方法、及び、エピタキシャル成長装置 2021年12月
  • 横型熱処理炉、熱処理方法及びシリコンウェーハの製造方法 2021年11月
  • 半導体試料の評価方法、半導体試料の評価装置および半導体ウェーハの製造方法 2021年11月
  • シリコンウェーハの枚葉式スピン洗浄乾燥方法 2021年10月
  • 機械学習の評価方法及び機械学習による推定モデルの生成方法 2021年10月
  • 枚葉式ウェーハ洗浄装置の配管の洗浄方法 2021年10月
  • 無欠陥単結晶シリコンの製造方法及び装置 2021年9月
  • ボルト締結構造及びこれを用いたシリコン単結晶引上げ装置 2021年9月
  • エピタキシャルシリコンウェーハ及びその製造方法、並びに半導体デバイスの製造方法 2021年7月
  • ワークの両面研磨方法及びワークの両面研磨装置 2021年6月
  • シリコンウェーハの評価方法、評価システム及び製造方法 2021年5月
  • シリコンウェーハ及びその製造方法 2021年4月
  • 横型熱処理炉を用いたシリコンウェーハの熱処理方法 2021年3月
  • ほか278件

この情報について

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