ルネサスエレクトロニクス株式会社の評価
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職場環境：
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入社理由と
入社後の
ギャップ： -
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会社の将来性：
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スキルアップ：
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多様性への配慮：
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ワークライフ
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退職理由：
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福利厚生・制度：
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年収・給与：
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やりがい：
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企業について
「人々の暮らしを楽（ラク）にする」をパーパスに掲げる半導体専業メーカー。自動車向けと産業・インフラ・IoT向けに、マイクロコントローラ（機器を制御する小型のコンピュータ）、SoC、アナログ半導体、パワー半導体を研究・開発・設計・製造している。2002年に日本電気の半導体事業（汎用DRAMを除く）を分社化したNECエレクトロニクスとして発足し、2010年に日立製作所・三菱電機の半導体事業を母体とするルネサステクノロジと合併して現在の社名になった。2017年の米インターシル買収を皮切りに、米IDT、英ダイアログセミコンダクター、米トランスフォームなどを相次いで取得し、アナログ・電源分野の製品を広げてきた。半導体そのものが人の目に触れることはないが、自動車のエンジンや車体を制御する部分、メーターやカーナビなどの車載情報機器、工場の設備や通信インフラの内部で動いている。2025年12月期の連結売上収益は1兆3,212億円。従業員は単体で約6,000人、連結では約2万1,600人が働く。2026年7月には高崎工場の生産を段階的に終え、同拠点は研究開発機能に絞ると発表した。
事業内容
自動車向け事業
・車載制御：自動車のエンジンや車体などを制御する半導体
・車載情報：車内外の環境を検知するセンシングシステム、IVI・インストルメントパネルなどの車載情報機器向け半導体
産業・インフラ・IoT向け事業
・産業機器、インフラストラクチャー、IoT向けの半導体
その他
・子会社による半導体の受託開発、受託生産
主な製品はマイクロコントローラ、SoC、アナログ半導体、パワー半導体。
基本情報
- 設立
- 2002年11月
- 代表者
- 取締役 代表執行役社長 兼 CEO 柴田 英利
- 資本金
- 1,532.1億円
- 売上高
- 1.3兆円
- 従業員数
- 約6,025人
- 平均年収
- 749.6万円
- 平均年齢
- 48.5歳
- 平均勤続年数
- 23.4年
- 上場
- 東証プライム（証券コード 6723） 2003年上場
- 決算月
- 12月
- 事業形態
- 法人向け（BtoB）
- 所在地
- 東京都江東区豊洲３丁目２番２４号
- 公式サイト
- https://www.renesas.com/
- 採用情報
- 採用ページを見る
- お問い合わせ
- 問い合わせフォームを開く
職場データ
- 平均勤続年数
- その他 23.4年（男性 22.4年 / 女性 21.2年）
- 女性管理職比率
- 4.8%（111人/2,317人）
- 女性労働者の割合
- 23.5%（その他）
出典：職場情報総合サイト（厚生労働省）。企業が公表した時点の数値で、 集計の範囲（正社員のみか、パートを含むか）は企業によって異なります。
沿革
- 2002年11月
- 日本電気の半導体事業（汎用DRAMを除く）を会社分割により分社化し、NECエレクトロニクス株式会社として神奈川県川崎市に設立
- 2003年7月
- 東京証券取引所市場第一部に上場
- 2010年4月
- 株式会社ルネサステクノロジと合併し、ルネサスエレクトロニクス株式会社に商号変更
- 2010年11月
- ノキア・コーポレーションよりワイヤレスモデム事業を譲受
- 2013年9月
- 産業革新機構、トヨタ自動車、日産自動車、デンソーなどを割当先とする第三者割当増資を実施
- 2014年4月
- 国内の半導体前工程・後工程の製造事業をそれぞれ子会社に集約
- 2017年2月
- 米国インターシルの全株式を取得し子会社化
- 2019年3月
- 米国IDT（Integrated Device Technology）の全株式を取得し子会社化
- 2021年8月
- 英国ダイアログセミコンダクターの全株式を取得し子会社化
- 2022年4月
- 東京証券取引所プライム市場へ移行
- 2024年6月
- 米国トランスフォームの全株式を取得し子会社化
- 2024年8月
- Altium社の全株式を取得し子会社化
- 2026年7月
- 高崎工場の段階的な生産終了と、同拠点の研究開発機能の維持・強化を発表
取得している認定
- くるみん 子育てサポート企業として厚生労働大臣の認定
公式SNS
公的な記録
表彰 1件
- 次世代育成支援対策推進法に基づく「くるみん」認定
補助金 8件
- 令和３年度産業技術実用化開発事業費補助金（サプライチェーン上不可欠性の高い半導体の生産設備の脱炭素化・刷新事業費補助金）一次公募（ルネサスエレクトロニクス３）
- 令和３年度産業技術実用化開発事業費補助金（サプライチェーン上不可欠性の高い半導体の生産設備の脱炭素化・刷新事業費補助金）一次公募（ルネサスエレクトロニクス２）
- 令和３年度産業技術実用化開発事業費補助金（サプライチェーン上不可欠性の高い半導体の生産設備の脱炭素化・刷新事業費補助金）一次公募（ルネサスエレクトロニクス４）
- 令和３年度産業技術実用化開発事業費補助金（サプライチェーン上不可欠性の高い半導体の生産設備の脱炭素化・刷新事業費補助金）一次公募（ルネサスエレクトロニクス２）
- 令和３年度産業技術実用化開発事業費補助金（サプライチェーン上不可欠性の高い半導体の生産設備の脱炭素化・刷新事業費補助金）一次公募（ルネサスエレクトロニクス４）
- 令和３年度産業技術実用化開発事業費補助金（サプライチェーン上不可欠性の高い半導体の生産設備の脱炭素化・刷新事業費補助金）一次公募（ルネサスエレクトロニクス５）
- 令和３年度産業技術実用化開発事業費補助金（サプライチェーン上不可欠性の高い半導体の生産設備の脱炭素化・刷新事業費補助金）一次公募（ルネサスエレクトロニクス３）
- 令和３年度産業技術実用化開発事業費補助金（サプライチェーン上不可欠性の高い半導体の生産設備の脱炭素化・刷新事業費補助金）一次公募（ルネサスエレクトロニクス１）
官公庁からの受注 3件
- 高効率・高速処理を可能とするＡＩチップ・次世代コンピューティングの技術開発研究開発課題発掘のための先導調査研究次世代ヘテロジーニアスＡＩデバイスのための高速シミュレーション環境、ＡＩコンパイラの開発とＳＷ－ＨＷの協調設計手法についての研究開発
- ポスト５Ｇ情報通信システム基盤強化研究開発事業先導研究（委託）ポスト５Ｇのワイヤレスインフラストラクチャ向けの高効率で低コストのミリ波トランシーバーの研究開発
- 高効率・高速処理を可能とするＡＩチップ・次世代コンピューティングの技術開発革新的ＡＩエッジコンピューティング技術の開発動的再構成技術を活用した組み込みＡＩシステムの研究開発
特許・意匠・商標 288件
- ＷａｔｔＺｅｒｏ
- Ｆｒｏｍ ＬＥＯ ｔｏ ＧＥＯ ａｎｄ Ｂｅｙｏｎｄ
- ｎａｎｏＩＱ
- ネットワーク管理プログラム、ネットワークシステム及びネットワーク管理方法
- 分圧回路、負帰還回路、及びパワーオンリセット回路
- 半導体装置
- 半導体装置およびその制御方法
- 半導体装置
- 半導体装置
- 半導体装置
- 半導体装置
- 半導体装置
- 半導体装置の製造方法
- 半導体装置、モータ駆動システム、およびモータ起動方法
- 半導体装置
- 半導体装置の製造方法
- 半導体装置およびその製造方法
- 半導体装置の製造方法
- 半導体装置
- 半導体装置
- ほか268件
この情報について
内容が最新でない場合や、文章作成の過程で不正確な場合がありますので、公式の資料でご確認ください。 企業のご担当者様は、会員登録のうえ内容を編集していただけます。
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出典：「Gビズインフォ」（経済産業省）
https://info.gbiz.go.jp/hojin/ichiran?hojinBango=8020001075701（2026年8月22日に利用）
同サイトの情報をもとに dive-for.com が作成しました。
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