株式会社オキサイドの評価
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職場環境：
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入社理由と
入社後の
ギャップ： -
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会社の将来性：
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スキルアップ：
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多様性への配慮：
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ワークライフ
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退職理由：
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福利厚生・制度：
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年収・給与：
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面接・選考：
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やりがい：
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企業について
レーザや光計測に使う単結晶と、それを組み込んだレーザ光源・光学部品を開発・製造するメーカー。単結晶は原子が規則正しく並んだ塊で、光の波長を変えるなど、光学機器の中核を担う材料にあたる。2000年、物質・材料研究機構の研究者だった古川保典が国家公務員の兼業制度を使って山梨県に設立し、その後は三菱電線工業の光デバイス事業、マグネスケールのレーザ事業、日立化成（現レゾナック）のシンチレータ単結晶事業と、他社が手放した光学分野の事業を買い取りながら製品の幅を広げてきた。用途は大きく二つある。一つは半導体をつくるシリコンウエハの傷や異物を見つける検査装置に組み込むレーザ、もう一つはがんや認知症の診断に使うPET検査装置で放射線を光に変えるシンチレータ単結晶で、いずれも完成品として消費者の目に触れることはないが、スマートフォンやデータセンターに入る半導体の品質検査と、病院での画像診断を支えている。2014年に経済産業省の「グローバルニッチトップ企業100選」に選定された。2026年2月期の連結売上高は約100億円、従業員は単体297人・連結312人で、研究開発と製造に従事する役職員の24％が博士号または修士号を持つと公表している。
事業内容
半導体事業：半導体ウエハ検査装置向けの単結晶およびレーザ光源の開発・製造・販売
ヘルスケア事業：PET検査装置に搭載されるシンチレータ単結晶の開発・製造・販売
新領域事業：研究機関・大学・光学製品メーカー向けの単結晶、光部品、レーザ光源、光計測装置の開発・製造・販売（特注・試作対応を含む）
連結子会社オキサイドパワークリスタルによる、溶液法SiC単結晶などパワー半導体向け材料の研究開発・製造販売
基本情報
- 設立
- 2000年10月
- 代表者
- 代表取締役CEO 古川 保典
- 資本金
- 34.1億円
- 売上高
- 100.4億円
- 従業員数
- 約297人
- 平均年収
- 502.5万円
- 平均年齢
- 40.8歳
- 平均勤続年数
- 5.5年
- 上場
- 東証グロース（証券コード 6521） 2021年上場
- 決算月
- 2月
- 事業形態
- 法人向け（BtoB）
- 所在地
- 山梨県北杜市武川町牧原１７４７番地１
- 公式サイト
- https://www.opt-oxide.com/
- 採用情報
- 採用ページを見る
- お問い合わせ
- 問い合わせフォームを開く
職場データ
- 女性役員比率
- 18.2%（2人/11人）
- 企業規模（男女別）
- 男性 約200人 / 女性 約112人
出典：職場情報総合サイト（厚生労働省）。企業が公表した時点の数値で、 集計の範囲（正社員のみか、パートを含むか）は企業によって異なります。
沿革
- 2000年10月
- 物質・材料研究機構の研究者だった古川保典が、山梨県北巨摩郡小淵沢町（現・北杜市）に株式会社オキサイドを設立
- 2001年5月
- 非線形光学単結晶 Super LN/LT を開発し、国際展示会で販売開始
- 2005年5月
- 山梨県北杜市武川町に本社工場を新設・移転
- 2005年12月
- 三菱電線工業から光デバイス事業を買収し、光部品分野へ進出
- 2006年6月
- ニコンと資本・業務提携
- 2006年8月
- 米KLA-Tencor（現KLA Corporation）と資本・業務提携
- 2010年9月
- マグネスケールからレーザ事業を買収、横浜事業所を開設しDUVレーザ事業を開始
- 2014年3月
- 経済産業省「グローバルニッチトップ企業100選」に選定
- 2015年3月
- 日立化成（現レゾナック）からシンチレータ単結晶事業を譲受
- 2018年8月
- 米Lumeras LLCから真空紫外レーザ事業を買収
- 2021年4月
- 東京証券取引所マザーズに株式を上場
- 2022年4月
- 東京証券取引所グロース市場に移行
- 2023年3月
- イスラエルのRaicol Crystals Ltd.を子会社化
- 2024年10月
- パワー半導体向け材料を担う株式会社オキサイドパワークリスタルを設立
- 2026年2月
- Raicol Crystals Ltd.の全株式および貸付債権を譲渡
公式SNS
公的な記録
届出・認定 1件
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物品の製造：B
物品の販売：B
役務の提供等：B
補助金 1件
- サプライチェーン対策のための国内投資促進事業費補助金（２次公募）
官公庁からの受注 2件
- グリーンイノベーション基金事業／次世代デジタルインフラの構築次世代パワー半導体に用いるウェハ技術開発超高品質・８インチ・ 低コスト ＳｉＣウェハ開発
- グリーンイノベーション基金事業／次世代デジタルインフラの構築次世代パワー半導体に用いるウェハ技術開発超高品質・８インチ・ 低コスト ＳｉＣウェハ開発
特許・意匠・商標 11件
- ＯＸＩＤＥ
- ＯＸＩＤＥ
- ＯＸＩＤＥ
- リチウム金属リン酸塩、リチウムイオン二次電池の正極材料、リチウムイオン二次電池
- ＬＳＯ系シンチレータ結晶
- 蛍光体素子評価方法、蛍光体素子評価プログラムおよび蛍光体素子評価装置
- 蛍光体評価装置
- 蛍光体素子評価方法、蛍光体素子評価プログラム、蛍光体素子評価装置および蛍光体素子
- 深紫外レーザ発生装置および光源装置
- 二重像検査システム
- 単結晶、放射線検出器及び放射線検出器の使用方法
この情報について
内容が最新でない場合や、文章作成の過程で不正確な場合がありますので、公式の資料でご確認ください。 企業のご担当者様は、会員登録のうえ内容を編集していただけます。
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出典：「Gビズインフォ」（経済産業省）
https://info.gbiz.go.jp/hojin/ichiran?hojinBango=9090001011376（2026年8月21日に利用）
同サイトの情報をもとに dive-for.com が作成しました。
FAQ
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